Cet amplificateur large bande est équipé de deux transistors:
Un Mosfet RD06HVF1 et un bipolaire BFG35.
Le gain est de 38dB et part le fait seulement 1mW est nécessaire pour obtenir les 5W de sortie.

Au travers de la commande VGS du Mosfet, on peut faire varier la puissance de 0 à 5W.
Une fonction PA OFF a également été rajoutée.

Tous les réseaux d'adaptation ont été déterminés en utilisant les logiciels : Mimp.EXE et Genesys.
L'adaptation d'impédance de sortie du RD06HVF1 sera déterminée via la formule:Zout=U²/2P.

.Dans ce nouveau design, la protection ROS est assurée au travers de de la commade de polarisation du driver BFG35.

Parameter	Value
Power Supply	12.6V
Efficiency	> 50%
Frequency Range	87.5 MHz to 108 MHz
Input power (Typ.)	0 dBm or 1mW
Output power (Typ.)	37 dBm or 5W
Gain (Min)	37 dB
Ripple Power	37.5dBm +/-0.5dB
Harmonic filtering	<-50dB (from 87.5 to 93 MHz) <-60dB (from 94 to 108 MHz)
Power adjustment	Through the Vgs control Pin 0.1W<Pout<5W(Min)
RF Power OFF	Typ=-46 dB or -8 dBm Max
Input SWR	<1.5
Forward SWR detector	Through calibrated striplines
Reverse SWR detector	Through calibrated striplines
Board Dimensions	2.5*3.5’’

 

L'amplificateur fournit 5W ,avec un gain moyen de 38dB (avec étage BFG35)
(Aucun réglage n'est nécessaire pour couvrir la bande FM)

 

S11 and S21 Curves (PDF File)